制造商:Central Semiconductor
产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
晶体管极性:NPN
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:400 V
发射极 - 基极电压 VEBO:9 V
集电极—射极饱和电压:1 V
最大直流电集电极电流:8 A
增益带宽产品fT:4 MHz
最小工作温度:- 65 C
最大工作温度:+ 150 C
系列:MJE13005
直流电流增益 hFE 最大值:60 at 1 A, 5 V
封装:Tube
商标:Central Semiconductor
集电极连续电流:4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:8 at 2 A, 5 V
Pd-功率耗散:75 W
产品类型:BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量:50
子类别:Transistors
零件号别名:MJE13005 PBFREE SL